igbt型号参数的含义

1、集电极—发射极间电压(VCES)-在门极-发射极之间处于短路状态时，集电极-发射极间的最大电压。

2、门极—发射极间电压（VGES）-在集电极-发射极间处于短路状态时，门极-发射极间能够施加的最大电压（通常正负20Vmax）

3、集电极电流（IC）-集电极的电极上容许的最大直流电流。

4、最大集电极电流（ICRM）-集电极的电极上容许的最大脉冲电流

5、正向导通电流（IF） ——集成二极管上容许的最大直流正向电流

6、最大正向导通电流（IFRM）——集成二极管上容许的最大脉冲正向电流

7、短路电流(ISC)——IGBT 短路时的电流

8、最大损耗（PTOT）——每个IGBT容许的最大功耗损耗

9、结温（TJ）——使元件能够连续性工作的最大芯片温度

10、正向峰值浪涌电流（IFSM）——在不破坏元件范围内所允许的一周期以上商用正弦半波（50、60HZ）的电流最大值

11、集电极-发射极断路电流（ICES）——门极（下称G）-发射极（下称E）间处于短路状态时，在集电极（下称C）-E间外加指定的电压时C—E间的漏电流

12、门极-发射极间的漏电流（IGES）——C-E间处于短路状态时，在G-E间外加指定的电压时G-E间的漏电流

13、集电极-发射极间的饱和电压（VGE（th））——处于指定的C-E间的电流（下称集电极电流）和C-E间的电压（下称VCE）之间的G-E间的电压（下称VGE）（G-E间有微小电流开始通过时的VGE值用于作为衡量IGBT开始导通时的VGE值尺度）

14、集电极—发射极间的饱和电压（VCE(sat)）——在指定的VGE下，额定集电极电流流过时的VCE值（通常，VGE=15V，计算损耗时重要值）

15输入电容（Cies）——C-E间交流性短路状态下，G-E间和C-E间外加指定电压时G-E间的电容。

16.、输出电容（Coes）——G-E间交流性短路状态下，G-E间和C-E 间外加指定电压时C-E间的电容

17、反向传输电容（Cres）——在E接地的情况下，G-E间和C-E间外加指定电压时C-E间的电容

18、二极管正向电压（VF）——在内置二极管中流过指定的正方向电流（通常为额定电流）时的正方向电压（与VCE(sat））相同，也算是计算损耗是的重要值.

19、开通时间（tdon）：VGE上升到0后，VCE下降到最大